耦合忆阻特性和光电响应的类脑智能神经形态器件

主讲人：陈心满 华南师范大学研究员

时间：2023年5月18日13：30

地点：数理学院222室

举办单位：数理学院

主讲人介绍：陈心满，华南师范大学研究员，博士生导师。2009博士毕业于中山大学，先后在澳门金沙城中心、华南师范大学工作，2018.9-2019.8期间，在美国Lehigh大学材料科学与工程系访问。近五年的研究领域主要包含新型微电子/光电子元器件集成及其类脑智能应用，化学储能介质、器件及规模化集成系统。近年来已在Appl. Phys. Lett.、Adv. Electron. Mater.、Chem. Eng. J等国际重要学术期刊上发表SCI 学术论文百余篇，申请国家发明专利20余项。

内容介绍：类脑智能技术作为一项新兴的科学技术，有望解决冯·诺依曼体系结构及其计算理论基础导致的瓶颈问题，受到国际高度重视。开发基于电子器件及光电子器件的人工神经突触以复现类脑神经形态功能，是构造大规模类脑芯片的首要任务，也是目前国际上各研究团队的开发重点内容。忆阻器的器件结构、记忆特性和物理机制与这与生物神经突触结构、工作原理及神经信号传输过程具有高度相似性，被认为是构建类脑芯片元器件的理想选择。但仅依靠忆阻器的电刺激，难以实现类脑视觉系统相关功能。光电忆阻器，耦合了光电响应和记忆特性，可模拟视觉神经对外界信息的感知及存储。报告总结了课题组近年来在忆阻器和光电忆阻器方面的研究结果，主要包含：1）忆阻器电阻态依赖忆阻特性及其联想学习、再可塑性等神经形态功能；2）光电忆阻器反常光电响应类脑视觉系统等内容。